半導体製造ラインおよびIC製造ラインの静電破壊
1.半導体およびIC製造ラインの静電気電圧
ナイロン服を着て1、ゆっくりときれいな床の上を移動するプラスチック製のベースの靴、人体は7KV - 8KVの電圧をもたらすでしょう
2ガラス繊維製のクリスタルキャリアがポリプロピレン製テーブルの上を滑ると、10KVの静電気が発生しやすくなります。
3ウエハ組立ライン：ウエハ5KV、ウエハローディングボックス35KV、作業服10KV、デスクトップ10KV、プレキシガラスカバー8KV、水晶1.5KV、ウエハトレイ6KV
4リソグラフィプラスチック床500V - 1000V、金属グリッド床も500V - 1000V、拡散室プラスチック床500V - 1500Vタイル床も500V - 1500Vであり、プラスチック壁面は約700V、プラスチック天井0 - 1000V、アルミ板空気出口、背面吹出し口500V〜1000V、金属製可動レザーチェア表面500V〜3000V
2.半導体製造ラインおよびIC製造ラインの静電気障害
1静電クーロン力の危険性：静電クーロン力によって吸着されたほこりや汚れは、部品を持ってくる可能性があります。これは、漏電や短絡の原因となり、性能を低下させ、歩留まりを著しく低下させます。 ダストの粒径が＞ １００μｍ、アルミニウムワイヤの幅が約１００μｍ、そしてフィルムの厚さが５０μｍ未満である場合、製品は廃棄される可能性が最も高い。 これは主に腐食洗浄、フォトリソグラフィ、スポット溶接および包装のプロセスで起こります。
2静電気放電による危険：数万から数万ボルトの高電位の物体、パルス状の放電、火花放電がある場合、非常に大きな放電電流が地球に流れると、パルス状の電流ピークが発生します。 ２０Ａで形成される。 大きな衝撃を与えると、静電放電（ESD）も電磁波放射を伴い、それが様々な危険を引き起こします。
A、MOSICおよびその他の半導体デバイスは静電放電（ESD）破壊または半破壊になります。 ＭＯＳ電界効果トランジスタのゲートは酸化膜から取り出され、ゲートと基板との間に酸化膜が介在している。 ゲートと基板間の電圧がある値を超えると、MOSICであれば酸化膜が破壊され、その後全てが廃棄されます。 UB = 50〜100Vに電圧を印加すると、ゲート容量が非常に小さく（約数ピコファラッド）、入力抵抗が非常に高い（約10 14Ω以上）ため、酸化膜が破壊されます。 少量の電荷では非常に高い電圧が発生し、電荷をシンクさせるのが難しくなります。 50V以上（保護なし）である限り、それは燃え尽きます。 したがって、人がグリッドに触れる限り、人は50V以上を充電するのが一般的であるため、部品は壊れます。 。
静電気に対する集積回路の感度を理解することができます。 さまざまなチップ間の違いは、それらが異なる静電圧値に耐えることができるということです。 実際の条件では、ほぼ20Vの静電圧がデバイスに直接接触して性能を低下または低下させます。
静電気放電によって部品が損傷して、プリント回路基板全体が使用できなくなり、経済的な損失が発生します。
静電放電のノイズは機器の誤動作や誤動作、間接放電の原因となります。 コンデンサ放電測定の結果は、大きなパルスの過渡電流を発生させることに加えて、数メガヘルツあるいは数百ヘルツにさえも渡って強いノイズを発生させる。 近年、静電気放電ノイズによるコンピュータの誤動作に関する基礎研究が大きく進展しています。
放電中に発生した電磁波が受信機に入ると、ノイズが発生し、それが信号と干渉して情報の品質を低下させたり、情報エラーを引き起こしたりします。
3、静電誘導の危険性
静電気によって誘発された物体は帯電した物体と完全に等価であり、静電気現象と放電現象があります。 センシング対象の抵抗が小さい良導体であると、火花放電が発生して害を及ぼすことがあります。
A.生産作業のワークショップでは。
高電圧の機器や電線の近くでは、職員が静電誘導により溶接、MOSデバイス、またはMOSSIを操作すると、デバイスへの人体の静電放電が発生しやすくなり、それによってデバイスが損傷を受けます。
B.パイプラインで輸送される空調空気流（イオン流）は、人体が吹いたときの充電と同じです。 人体が敏感な部品と接触していると、静電気放電によって損傷したデバイスが破壊されます。
4.電子機器の製造工程に対する静電気障害
機械の製造のあらゆる面で静電破壊が発生します。 主なリンクは次のとおりです。機器の調達と輸送。 装置の検査および工場への受け入れ デバイスの保管とピッキング デバイスの挿入とはんだ付け 製品の組み立てと検査 製品の包装と配達
電子部品および電子機器の製造中の静電気の破壊に加えて、製品の使用中にも静電気の影響を受けます。 要約すると、静電気によって引き起こされる損傷は、電子装置および電子装置の性能を調整できなくするのに十分であり、電子装置および装置への損傷は無視できない。