マイクロエレクトロニック回路 ESD 放電による損傷モード
マイクロエレクトロニック回路に損傷を引き起こす ESD 放電のモードの金属配線は、金属と破られるためシリコンのオーミック接触を引き起こす火花拡散穴 (または多結晶) とコンタクト ホールを生成します。
ノードの温度超える半導体シリコン (1415 ° C) の融点と、デバイスの短絡電流の発生、再結晶させるシリコンが溶けています。金属電極と配線が溶けて、球状炭化物鋼、断線の原因します。大きな電流が流れるジュール熱は、ジャンクション温度の上昇は、ホット スポットやホット実行を形成して発生を生成する PN 接合は、デバイスに損傷を引き起こします。静電気放電による発生瞬時大電流 (静的な火花) 点火可燃性、爆発性のガス混合物または電気火災。作業生産物は、偶発的な燃焼と爆発事故を引き起こします。
静電気放電が発生する電気ショックにさらさ、操作エラーの原因二次災害と静電場のクーロン力を引き起こして印刷、繊維製品などの生産ラインの自動化を妨げるために人間の体とプラスチック包装。静電気災害の 3 番目のタイプは、静電気放電による発生電磁放射または電子機器の静電気放電電磁パルス (ESDEMP) によって引き起こされる電磁波が原因です。
一般に、ので、このプロセスは、大電流はローカル高温熱源を形成するループを介して渡される断熱プロセス、マイクロまたはナトリウム秒程度静電気が実行されます。マイクロ エレクトロニクス装置のデバイスを介して静電気エネルギーが解放され、平均電力は、複数のキロワットを達することができます。熱は、ローカル熱損傷を引き起こしているデバイスに大きな温度勾配を形成力消費面から拡散することは困難です。回路の性能が悪化するか失敗しました。
次の帯電防止製品が必要です。
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