部品への静電圧蓄積の影響
コアのヒント：電圧ブレークダウンとは、過電圧下での半導体PN接合または誘電体層のブレークダウンのことです。 現代のＶＬＳＩ回路では、ゲート酸化物層の厚さはナノメートル程度に薄く、１００ボルトまたは数十ボルト程度の小さい静電電圧でも構成要素の故障または性能劣化を引き起こすのに十分である。 過電圧の主な原因は摩擦電気です。 人が部屋に入ったとき、または
電圧破壊は、過電圧下での半導体ＰＮ接合または誘電体層の破壊を指す。 現代のＶＬＳＩ回路では、ゲート酸化物層の厚さはナノメートル程度に薄く、１００ボルトまたは数十ボルト程度の小さい静電電圧でも構成要素の故障または性能劣化を引き起こすのに十分である。
過電圧の主な原因は摩擦電気です。 人が部屋に入ったり、プラスチックのエンベロープ材料から集積回路を取り出したりすると、静電破壊電圧をはるかに超える15,000〜20000Vの電圧が発生する可能性があります。 ＭＯＳ電界効果トランジスタ、金属アルミニウムゲート、絶縁誘電体層ＳＩＯ２、および半導体Ｎチャネルを例にとると、このような構造は、約３ＰＦの静電容量を有する平板コンデンサに相当する。
アルミニウムグリッドに静電荷が蓄積すると、V = Q / Cから、少量の電荷でも電圧が非常に高くなることがわかります。 絶縁性誘電体層ＳＩＯ２の耐圧は１００Ｖ程度である。 静電電圧が耐電圧値以上になると、酸化膜が破壊され、ピンホールによってゲートが連絡され、デバイスが損傷し、隠れた危険性が生じたり、デバイスが無効になったりします。
電力破壊は、過電流の下での半導体ＰＮ接合、絶縁誘電体層、接続線などの破壊を指し、これは静電放電パルスの形状、持続時間、およびエネルギー蓄積に関係する。 静電放電電流が集積回路の内部を通って流れ、ＰＮ接合の温度を上昇させる。
内部接続線を焼き付けたり、内部接続線を細くしたりすることがあります。また、合金化や金属の拡散を引き起こすこともあります。 電気的経年劣化は、ほとんどの頭痛のうち「ソフトブレイクダウン」です。 現時点では見つかりませんが、いつでも失敗する可能性があります。 現時点では、それを使用する電子機器は間違いなく大きな隠された危険性をもたらすでしょう。